با پیشرفت در فن آوریهای CMOS این امکان بوجود آمد که مدارات مجتمع و از جمله حافظه ها را در ظرفیتهای بالا پیاده سازی نمود. حافظه دسترسی تصادفی ایستا (SRAM) نیز از این قاعده مستثنی نبوده و بطور گسترده ای به عنوان حافظه نمایش دهنده منطق LSI استفاده میشود. همچنین بدلیل استفاده از فرآیند مدارات منطقی مشابه از هزینه فرآیند اضافی می کاهد. طراحی مناسب سلول و آرایه سلول SRAM جهت دستیابی به عملکرد بالا، توان کم، هزینه پایین و منطق LSI قابل اطمینان امری اجتنابناپذیر است. ویژگی مهم این کتاب، سادگی بیان ساختارهای مختلف SRAM با استفاده از فن آوری های CMOS و مشکلات و مزایای هرکدام میباشد. ارائه شبیهسازی نیز در فهم هرچه بیشتر این ساختارها به خواننده کمک میکند.